RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 1983, том 25, выпуск 6, страницы 1585–1589 (Mi ftt3776)

Электронные переходы в ZnSe, обусловленные Ni

В. И. Соколов, В. В. Черняев, М. В. Чукичев, Ву Зоан Мьен, В. С. Вавилов

Институт физики металлов УНЦ АН СССР

Аннотация: Исследовались спектры электропоглощения (ЭП) и катодолюминесценции (КЛ) кристаллов ZnSe : Ni в области полосы фотоионизации (ПФ) Ni. Спектры ЭП и КЛ объясняются переходами Ni$^{2+}+\hbar_{\omega}\to$Ni$^{1+}+h$ на краю ПФ и переходами Ni$^{2+}+\hbar_{\omega}\to$Ni$^{3+}+e$ в глубине ПФ. В спектрах ЭП наблюдаются узкие пики при 1.822 и 2.640 эВ, обусловленные переходами в водородоподобные состояния дырки и электрона, связанных с ионами Ni$^{1+}$ и Ni$^{3+}$ соответственно. Определено энергетическое положение основных состояний ионов Ni$^{1+}$ и Ni$^{3+}$ в запрещенной зоне и получено значение энергии Хаббарда для иона Ni$^{2+}$ в ZnSe (${U_{H}=1.8}$ эВ).

Поступила в редакцию: 14.06.1982



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024