Фотоионизаация глубоких $h$-центров в полупроводниках

Построены волновые функции для глубоких $h$-центров при произвольном соотношении между шириной запрещенной зоны, энергией уровня и величиной спин-орбитального расщепления валентной зоны. Показано, что могут существовать $h$-центры двух типов: центры, основное состояние на которых отвечает симметрии $\Gamma_{8}$, и центры, основное состояние на которых отвечает симметрии $\Gamma_{7}$. Получены формулы, определяющие величину и характер спектральной зависимости сечений фотоионизации этих центров для переходов $h$-центр–валентная зона. Результаты сопоставляются с экспериментальными данными в GaAs и Si.