Дефекты структуры в германии при облучении ионами гелия и водорода

Методами электронной микроскопии исследована структура слоев германия при облучении ионами гелия и водорода в широком интервале энергий ионов и температур последующего отжига. Показано, что основным типом дефектов в слоях германия, облученных ионами гелия, являются скопления междоузельных атомов в виде стержнеобразных и \{113\}-дефектов. Отжиг этих слоев приводит как к сокращению размеров указанных дефектов, так и к их переходу в дислокационные петли. Результаты изучения структурных перестроек и измерения электрофизических свойств облученных слоев приводят к выводу, что сокращение размеров стержнеобразных дефектов и \{113\}-дефектов происходит за счет генерации междоузельных атомов в объем кристалла. Отличия в структуре слоев, облученных ионами гелия и водорода, обусловлены различными механизмами взаимодействия атомов внедряемой примеси с радиационными точечными дефектами.