Спиновая релаксация электронов проводимости в умеренно легированных кристаллах GaAs

При исследовании времен спиновой релаксации электронов проводимости в кристаллах GaAs с концентрацией акцепторов ${4\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ был обнаружен прецессионный механизм релаксации, связанный со спиновым расщеплением зоны проводимости в кристаллах без центра инверсии. Изучены особенности его поведения в широком интервале температур. Определена константа спинового расщепления зоны проводимости в GaAs: ${\alpha= 0.070\pm0.005}$.