Линейная экситонная структура низкотемпературной краевой люминесценции кристаллов сурьмянистого индия

Исследовалась низкотемпературная краевая люминесценция (НКЛ) кристаллов InSb $n$- и $p$-типа с ${N_{D}+N_{A}\lesssim10^{14}\,\text{см}^{3}}$ при ${T=2\div40}$ K в магнитном поле ${H=0\div80}$ кЭ. Обнаружена линейная структура НКЛ (до 10 максимумов). Анализ зависимостей от $H$, $T$, $J$ позволяет связать природу линий с рекомбинационным излучением диамагнитного экситона, экситон-примесных комплексов (ЭПК) $D^{0}X$, в том числе на глубоких донорах, с прямой рекомбинацией электрона на нейтральном акцепторе, рекомбинацией на $A^{+}$-центре, и с излучением при взаимодействии свободных и связанных экситонов. Наблюдается возгорание в магнитном поле фононного повторения рекомбинационного излучения диамагнитного экситона. Обнаруженная немонотонная зависимость интенсивности линий от $H$ соответствует теоретической для ЭПГ, а диамагнитный сдвиг соответствующих линий находит объяснение через модель псевдоакцептора.