Прыжковая проводимость в промежуточно легированных полупроводниках

По температурной зависимости прыжковой проводимости аморфного Si, промежуточно легированного Мn определены численные параметры теории кулоновской щели в спектре локализованных состояний. Показано, что полученные экспериментальные результаты хорошо описываются в рамках развитых в последнее время теоретических представлений о наличии двух зон Хаббарда в легированных полупроводниках.