Дефектообразование в кристаллах GdS и ZnSe под воздействием излучения азотного и эксимерного лазеров

Под воздействием излучения N$_{2-}$ и XeCl-лазеров с интенсивностью ${I_{0}\approx5{-}10\,\text{МВт/см}^{2}}$ в монокристаллах CdS и ZnSe распадаются комплексы с участием собственных дефектов решетки и образуются новые, которые оказывают слабое влияние на процессы излучательной рекомбинации при низких уровнях возбуждения люминесценции и превращаются в безызлучательные при достаточно высоких. При ${I_{0}\gtrsim50\,\text{МВт/см}^{2}}$ возникает плазма, происходит повреждение поверхности и образование на ней периодических структур. Изучено влияние электрического поля на люминесцентные свойства кристаллов CdS. Показано, что нагрев области облучения не превышает 100 K. Обсуждается влияние упругих напряжений и электрических полей на процессы дефектообразования.