Пьезоспектроскопия электронного комбинационного рассеяния света в легированных азотом кристаллах SiC политипов 6$H$, 15$R$ и 27$R$

Проанализировано поведение (расщепление и поляризация) линий электронного комбинационного рассеяния света при изменении величины одноосной деформации политипов 6$H$-, 15$R$-, 27$R$-SiC, легированных азотом, вдоль двух направлений — $\langle1100\rangle$ и $\langle1120\rangle$. Показано, что: 1)  линии с ${\hbar\omega<25}$ мэВ обусловлены рассеянием света с возбуждением электронов из $1s\Gamma_{1}$-состояний в орбитально-долинно отщепленные состояния $1s\Gamma_{3}$; 2)  ни одна из исследованных линий не связана с рассеянием электронов из $1s$ в $2s$ и более высокие состояния; 3)  расщепление линий с ${\hbar\omega>30}$ мэВ не описывается в рамках модели, в которой при расчете $1s$-состояния нейтрального донора орбитально-долинное взаимодействие рассматривается как поправка к методу эффективных масс и учитывается только три основных экстремума в зоне проводимости; 4)  спин-орбитальное взаимодействие для всех $1s$-состояний пренебрежимо мало.