Диэлектрические аномалии в анизотропных твердых электролитах
В. Е. Зильберварг,
Н. А. Труфанов Научно-исследовательский институт "Квант", г. Москва
Аннотация:
Исследованы диэлектрические аномалии в резкоанизотропных квазиодномерных твердых электролитах. Показано, что при разумных параметрах в системе может произойти фазовый переход первого рода, связанный со скачкообразным нарастанием числа дипольных дефектов в одной из подрешеток кристалла («плавлением» этой подрешетки). Скачок диэлектрической проницаемости вдоль главной оси кристалла
$\delta\varepsilon^{x}$ при таком переходе существенно больше, чем скачок
$\delta\varepsilon$ в исследованном ранее изотропном случае: ${\delta\varepsilon^{x}\sim\delta\varepsilon(u_{0}/T_{0})}$ (
$u_{0}$ — энергия образования дефектов при
${T\to 0}$,
$T_{0}$ — температура перехода,
${u_{0}/T_{0}\gg1}$). Изменяется и температурная зависимость диэлектрической проницаемости вблизи
$T_{0}$. В суперионной фазе может произойти сегнетоэлектрическое упорядочение дипольных моментов (в отличие от сегнетоэлектриков здесь при низких температурах кристалл находится в параэлектрическом состоянии, так как число дефектов мало). При этом реальна ситуация, когда переход параэлектрик–сегнетоэлектрик происходит при температурах выше
$T_{0}$ в связи с нарастанием числа дефектов, и лишь затем происходит обратный переход в парафазу. Исследованы суперионные переходы во внешнем поле и показано, что относительное смещение температуры перехода в сильноанизотропных кристаллах, а также в кристаллах, где существенную роль играют близкодействующие силы, способствующие установлению сегнетоэлектрического порядка, значительно (примерно в
$\delta\varepsilon$ раз) больше, чем в изотропных системах с чисто электростатическим взаимодействием.
УДК:
537.3
Поступила в редакцию: 27.01.1988