Нелинейные свойства электронно-ядерной спин-системы кристаллов AlGaAs в сильном магнитном поле

Нелинейные свойства электронно-ядерной спин-системы твердых растворов AlGaAs в сильном магнитном поле изучались методом оптической ориентации. Обнаружено, что зависимость степени $\rho$ циркулярной поляризации люминесценции от внешнего магнитного поля $\mathbf H$ (кривая Ханле) определяется ориентацией поля $\mathbf H$ относительно кристаллографических осей. Наиболее резкие изменения кривой Ханле наблюдались тогда, когда ориентация магнитного поля изменялась вблизи перпендикуляра к какой-либо из осей $\{$111$\}$ кристалла. Экспериментальные кривые магнитной деполяризации люминесценции, а также зарегистрированные ранее незатухающие колебания $\rho$ описаны теоретически. Сопоставление расчета и эксперимента позволило впервые определить вклад квадрупольно-возмущенных ядер в оптическую поляризацию ядер решетки кристаллов AlGaAs и время продольной релаксации ядер.