Акцепторно-донорные пары в бесщелевом полупроводнике HgTe

Предложена модель HgTe, которая позволяет количественно описать зависимость измеренной нами концентрации и подвижности электронов в широком интервале температур. Основная особенность модели — присутствие большой, порядка ${5\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$, концентрации коррелированных акцепторно-донорных пар, имеющих дырочный уровень энергии. Подвижность электронного газа определяется кулоновским рассеянием на заряженных центрах.