RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 1989, том 31, выпуск 9, страницы 81–86 (Mi ftt5610)

Эта публикация цитируется в 1 статье

О центрах примесной фотопроводимости и скрытого изображения в кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$ и его аналогах

М. В. Красинькова, Б. Я. Мойжес

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Предполагается, что кристаллы Bi$_{12}$SiO$_{20}$ и его аналоги, выращенные (отожженные) на воздухе, имеют стехиометрический избыток кислорода, приводящий к образованию Bi$^{5+}$ в подрешетке Bi$^{3+}$. Bi$^{5+}$ может рассматриваться как дырочный биполярон. Запись изображения в примесной области поглощения сопровождается возбуждением биполярона, диссоциацией его на две дырки, движением этих дырок во внешнем электрическом поле, рекомбинацией дырок с образованием биполярона, т. е. Bi$^{5+}$, но уже на некотором расстоянии от места возбуждения. Возникающее при этом перераспределение концентрации биполяронов приводит к образованию внутреннего электрического поля в кристалле. Записанное таким образом изображение диамагнитно и устойчиво во времени.

УДК: 537.312.62

Поступила в редакцию: 09.03.1989



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024