Аннотация:
Исследованы гальваномагнитные и фотоэлектрические явления в монокристаллических сплавах In$_{1-x}$Tl$_{x}$Te (${0.05\leqslant x\leqslant0.30}$) в температурном интервале (4.2$-$420) K, в магнитных полях до 50 кЭ.
Обнаружено, что в области низких температур носители заряда локализованы. Установлены величины энергии активации прыжковой проводимости и параметра прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка $T_{0}$ в зависимости от состава сплава, характера термообработки исследуемых кристаллов и интенсивности подсветки. Найдено, что в случае слабой локализации магнитосопротивление является отрицательным.
Обнаружено явление задержанной фотопроводимости (ФП) при температурах ${T<T_{c}\simeq150}$ K.
Причиной локализации носителей заряда может быть образование хвостов плотности состояний (модуляции зонного рельефа), вызванного неупорядоченностью кристаллической структуры твердого раствора в сочетании с низкой подвижностью носителей заряда.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 04.11.1985 Исправленный вариант: 28.02.1986