Размягчение кристалла $p{-}$GaAs, обусловленное глубокими Ян-Теллеровскими центрами Cu

Теоретически рассмотрен эффект уменьшения упругих модулей кристалла, содержащего ян-теллеровские примесные центры, переориентирующиеся под влиянием одноосной деформации. Получено выражение для степени поляризации люминесценции этих центров в условиях уменьшения упругости кристалла. Экспериментально исследована полоса фотолюминесценции GaAs : Сu с максимумом около 1.36 эВ, обусловленная ян-теллеровскими центрами Cu. Обнаружено, что в образцах с концентрацией центров ${5\cdot 10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ размягчение кристалла при гелиевых температурах заметно влияет на зависимость поляризационного отношения фотолюминесценции от давления по оси [100].