Аннотация:
Вакансии в позициях атомов у полупроводниковых кристаллов, по данным рентгеновских измерений, изменяют распределение величин смещений атомов. Статические смещения вблизи дефектов не дают заметного вклада, эффект обусловлен изменением динамических смещений, т. е. фононного спектра. Имеющиеся данные находят объяснение, если предположить регулярность размещения точечных дефектов.
УДК:
539.26:548.4
Поступила в редакцию: 23.03.1990 Исправленный вариант: 16.07.1990