Исследование фотоструктурных превращений в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников методом фотоэлектронной спектроскопии

Методом фотоэлектронной спектроскопии показано, что химический состав приповерхностной области свежеприготовленных пленок As$_{2}$Se$_{3}$, AsSe, As$_{3}$Se$_{2}$ одинаков. В циклах облучение-отжиг происходят обратимые изменения состава поверхности и значений энергии связей $3d$Se, а также положения края валентной зоны (на 0.2 эВ), которое коррелирует с данными по фотопотемнению пленок. Сделан вывод о том, что структура и состав приповерхностной области пленок, а также фотоструктурные превращения в ней существенно отличаются от таковых в толще пленки.