Роль триплетного состояния $F_{2}$-центров в образовании $F_{2}^{-}$-центров

Методами импульсной спектрометрии с временным разрешением исследован механизм образования $F_{2}^{-}$-центров в кристаллах LiF под действием импульсного электронного облучения. Установлено влияние температуры облучения, концентрации $F_{2}^{+}$- и $F_{2}$-центров на эффективность образования $F_{2}^{-}$-центров. Показано, что образование $F_{2}^{-}$-центров происходит за время $\lesssim 2\cdot 10^{-8}$ с в основном синглетном состоянии в результате локализации электрона на $F_{2}$-центре в триплетном состоянии и флип-эффекта. $F_{2}$-центры в триплетном состоянии образуются по двум каналам: в результате радиационного возбуждения $F_{2}-$центров и в процессе локализации электрона на $F_{2}^{+}$-центре.