Особенности термостимулированной генерации дислокаций в совершенных кристаллах антрацена

Экспериментально показано, что в совершенных кристаллах антрацена при циклическом термическом отжиге параллельно протекают два процесса: генерация небазисных краевых дислокаций с вектором Бюргерса вдоль $\mathbf b$-оси кристалла и их гибель, определяемые соотношением констант скоростей соответствующих процессов — $\alpha$ и $\beta$. Показано, что при наличии в кристалле некоторой концентрации термогенерированных дислокаций $n_{0}$ изменение этой концентрации при дальнейшем отжиге определяется пороговым соотношением $n_{0}=(\alpha/\beta)N_{0}$, где $N_{0}$ — концентрация центров, потенциально способных развиться в дислокации данного типа. При $n_{0} < (\alpha/\beta)N_{0}$ и $\beta >\alpha$ ход концентрационной кривой $n=n(t)$ будет иметь максимум, т. е. явно выраженные ветви, где будут доминировать процессы генерации и гибели дислокаций.
Концентрация термогенерируемых дислокаций является нестабильной во времени, и если прервать термический отжиг, то ее изменения будут зависеть как от абсолютной величины концентрации дислокаций, так и от времени «перерыва»: при относительно малом времени «перерыва» ($\sim 10$ ч) и малой концентрации дислокаций последняя увеличивается тем больше, чем она меньше по абсолютной величине; при увеличении времени «перерыва» концентрация дислокаций падает и тем больше, чем абсолютное значение ее больше.
Такие неравновесные состояния кристалла при термическом отжиге в значительной степени способствуют дилатонному механизму его локального разрушения, обусловливая генерацию дислокаций.