Угловая зависимость эмиссии фотонов при ионной бомбардировке кремния

Изучалась угловая зависимость эмиссии различных линий SiII и SiI, излучаемых при распаде возбужденных состояний атомов и однозарядных вторичных ионов, образующихся при бомбардировке кремния ионами аргона с энергией 8 кэВ. Установлено, что при облучении грани (111)Si анизотропия угловой зависимости ИФЭ более выражена для линии, соответствующей излучению частицы с меньшей энергией возбуждения. В случае аморфизованной поверхности кремния крутизна угловой зависимости ионно-фотонной эмиссии SiII и SiI убывала в последовательности: SiII 545, 413, 624, 504, 385 нм, SiI 727, 390 нм, соответствующей, как правило, уменьшению энергии возбуждения относительно основного состояния (исключение составляет линия SiII 413 нм). Проводится обсуждение полученных закономерностей.