Исследование структуры пленок Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te, выращенных методом МЛЭ на подложках BaF$_{2}$

Рассматриваются особенности строения пленок PbSnTe, выращенных в вакууме до $10^{-9}$ Торр методом молекулярно-лучевой эпитаксии на химически полированных подложках (100) и (111) BaF$_{2}$. Подложки перед ростом отжигались в вакууме при $T$ до $\sim 1000$ К. Химический состав подложек контролировался Оже-спектроскопией. Методами электронной микроскопии устанавливаются зависимость плотности дефектов и их распределение по объему в зависимости от особенностей роста. Проведены оценки напряжений в границах блоков.