Оже-электронная спектроскопия полупроводниковых кристаллов после воздействия импульсного магнитного поля

Проведено исследование процессов, происходящих на поверхности кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, CdTe, InSb после воздействия на эти кристаллы импульсного магнитного поля (${H_{A} \lesssim 10^{6}}$ А/м). Показано, что результатом такого воздействия является изменение состояния поверхности исследуемых кристаллов.