Обменное взаимодействие и рассеяние света с переворотом спина дырки на акцепторе в структурах с квантовыми ямами

Построена теория обменного взаимодействия между дыркой, связанной на акцепторе и дыркой в экситоне в полупроводнике или полупроводниковой гетероструктуре. По лучен выражение для оператора обменного взаимодействия, которое описывает не только процесс взаимным переворотом моментов дырок, но и процесс переворота момента одной дырки при сохранении направления поляризации другой дырки. Развитая теория использована для анализа механизмов рассеяния света с переворотом момента дырки на акцепторе, обнаруженного в структуре с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs $p$-типа. Объяснена связь между поляризационными свойствами и отношением интенсивностей стоксовой и антистоксовой компонент наблюдаемого рассеяния.