Статические и динамические характеристики объемного и контактного электросопротивления в CdCr$_{2}$Se$_{4}$ в условиях стохастической неустойчивости тока

В магнитных полупроводниках CdCr$_{2}$Se$_{4}$, легированных примесями донорного типа, исследуется эффект электрической неустойчивости тока, сопровождающийся появлением хаотических токовых осцилляций в сильных электрических полях. На основании потенциометрических измерений статического и временного распределения электрического поля по образцу установлено, что токовые осцилляции появляются вследствие изменения электрического сопротивления в области контакта полупроводника с металлом. Из анализа поведения объемного и контактного электросопротивления в зависимости от величины электрического поля установлено, что процесс электропереноса в CdCr$_{2}$Se$_{4}$ осуществляется зонным и прыжковым механизмами. Обнаруженная немонотонная зависимость контактного электросопротивления в сильных электрических полях связывается с неравновесным перераспределением электронов между зонными и примесными состояниями. Это может служить причиной возникновения электрической неустойчивости тока.