Пропускание и отражение света полупроводниковыми сверхрешетками в области экситонных резонансов

Методом матриц переноса получены точные выражения для коэффициентов пропускания, отражения и поглощения $TE$-поляризованного света полупроводниковой сверхрешеткой конечной толщины. При учете нелокальности диэлектрического отклика экситонов и в пренебрежении их «механическим» переносом между квантовыми ямами рассмотрены два практически важных случая: 1)  движение экситона как целого квантовано (${a\gg a^{}_{B}}$, где $a$ — ширина квантовой ямы, $a^{}_{B}$ — боровский радиус экситона), 2)  экситоны в квантовых ямах квазидвумерны (${a\lesssim a^{}_{B}}$). Изучена зависимость коэффициентов пропускания, отражения и поглощения света от частоты фотонов, затухания экситонов и толщины сверхрешетки.