Вероятность возбуждения электронных переходов между двумерными зонами

Проведен расчет вероятности поглощения излучения при переходах электронов между двумя плоскими зонами разной ширины и феноменологическим учете затухания в системе. В случаях, когда энергия затухания намного превышает разность ширины этих зон или намного меньше этой разности, получены аналитические выражения, позволяющие определить форму линии поглощения в зависимости от температуры кристалла, разности ширины зон и затухания. Обсуждается конкурирующая роль этих факторов. Предложенная модель электронных переходов позволяет интерпретировать результаты экспериментальных измерений поглощения света в тонких пленках РbI$_{2}$.