Роль диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в фотопроводимости гетероструктур AlAs/GaAs

На основе исследования фотопроводимости в $p$-$i$-$n$-гетероструктурах GaAs/AlAs в видимом световом диапазоне показана доминирующая роль канала диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в процессе формирования осцилляций фототока от напряжения смещения и определяющий вклад этого канала в полный ток через структуру. Рассмотрена качественная модель транспорта возбужденных носителей, предполагающая диффузионный канал как основной источник фотоосцилляций.