Корреляция электрических, гальваномагнитных и магнитных характеристик нанокристаллических пленок железа, полученных методом ионно-ассистированного осаждения

Представлены результаты измерений температурной зависимости сопротивления, поперечного и продольного магнитосопротивления (МС) в нанокристаллических пленках железа в температурном интервале 2–300 K и развертке магнитного поля до 8T. Тонкие пленки нанокристаллической $\alpha$-фазы железа толщиной 80 nm были получены методом ионно-стимулированного осаждения на кремневую подложку. Помимо анизотропии формы, полученные пленки проявляли перпендикулярную магнитную анизотропию (ПМА), которая исчезала после отжига пленок при температуре 450$^\circ$C в условиях вакуума. Экспериментально показано влияние ПМА на знак, величину и магнитополевую зависимость магниторезистивного эффекта, регистрируемого при различной ориентации внешнего магнитного поля по отношению к плоскости пленки и направлению протекания тока. Полученные результаты обсуждаются в рамках современных представлений о процессах переноса заряда без магнитного и в магнитном поле в слабо разупорядоченных ферромагнитных пленках с различной магнитной анизотропией и доменной структурой при наложении слабого (меньше поля насыщения намагниченности) или сильного (выше поля насыщения) внешнего магнитного поля.