Аннотация:
Проведены высокочастотные измерения емкости и проводимости объектов Ni-Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO_3-Pt и Ni-Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO_3-Si с толщиной сегнетоэлектрика 120 nm в параэлектрической фазе. Показано, что во всем диапазоне внешних напряжений электрическое поле в Si практически не проникает. Подтвержден сделанный ранее вывод о причинах слабого проявления эффекта поля — происходит практически полное экранирование поляризации сегнетоэлектрического слоя зарядами электронных ловушек на контакте Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO_3-Si. Отмечено, что резкое снижение за счет пассивации активности поверхностных ловушек позволит реализовать транзисторы на базе структур металл-BST-Si с работающим поверхностным каналом неосновных носителей заряда и обеспечит построение высококачественных ячеек энергонезависимой памяти FeRAM.
Ключевые слова:металл–диэлектрик–полупроводник-структуры, металл–диэлектрик–металл-структуры, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, высокочастотный импеданс.
Поступила в редакцию: 29.06.2021 Исправленный вариант: 29.06.2021 Принята в печать: 03.07.2021