Аннотация:
Пленки состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ (BST) синтезированы методом высокочастотного (ВЧ) распыления на буферный слой сегнетоэлектрической пленки состава PbZr$_{x}$Ti$_{1-x}$O$_{3}$ (PZT). Представлены сравнительные результаты электрофизических свойств трех различных МДМ-структур: Pt/BST/Ni, Pt/PZT/Ni и Pt/PZT-BST/Ni.