Влияние кристаллической структуры подложки на магнитную анизотропию плeнок Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx0.5$)

Тонкие плeнки сплава Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx0.5$) синтезированы методом импульсного лазерного осаждения в бескапельном режиме на подложках сапфира с различной кристаллографической ориентацией плоскости среза ($c$-Al$_{2}$O$_{3}$ и $r$-Al$_{2}$O$_{3}$) при различных плотностях энергии лазерного излучения $E$, фокусируемого на поликристаллической мишени MnSi. Изучены рентгеноструктурные, а также статические и резонансные магнитные свойства плeнок в зависимости от величины $E$ и ориентации подложки. Обнаружено, что плeнки, осаждeнные при больших значениях $E>6$ J/cm$^2$, демонстрируют присутствие ферромагнитной фазы с аномально высокой температурой Кюри $T_{C}\sim$ 300 K, нехарактерной для монокристаллов MnSi ($T_{C}\approx$ 30 K). При этом в случае подложек $c$-Al$_{2}$O$_{3}$ магнитный момент плeнок оказывается несколько больше, чем в случае подложек $r$-Al$_{2}$O$_{3}$. Кроме того, плeнки, осаждeнные на подложках $c$-Al$_{2}$O$_{3}$, демонстрируют заметно более высокие значения эффективного поля поверхностной анизотропии $4\pi M_{\operatorname{eff}}$, измеренной методом ферромагнитного резонанса. Полученные данные свидетельствуют о существенном влиянии структуры подложки на процесс формирования и магнитные свойства высокотемпературной ферромагнитной фазы плeнок Mn$_{x}$Si$_{1-x}$.