Атомная подвижность в кристаллической фазе наноструктурированного сплава Ga-In со структурой $\beta$-Ga

Эвтектический сплав галлия и олова является перспективным материалом для использования в современной микроэлектронике, медицинской диагностике и гибкой робототехнике. В связи с новыми применениями сплава Ga-In, значительный интерес вызывают исследования влияния понижения размеров на свойства этого сплава. В настоящей работе приводятся результаты исследования методом ЯМР атомной подвижности в сегрегированной кристаллической фазе наноструктурированного сплава Ga-In, обогащенной галлием. Сплав с концентрацией 94 at.% Ga и 6 at.% In был введен в поры опаловой матрицы. Показано, что обогащенная галлием фаза имела структуру $\beta$-Ga. Проведены измерения температурной зависимости скорости ядерной спин-решеточной релаксации галлия. Разделены вклады магнитного дипольного и электрического квадрупольного механизмов релаксации. Рассчитано изменение с температурой времени корреляции атомного движения и оценена энергия активации.