RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2021, том 63, выпуск 10, страницы 1687–1693 (Mi ftt8009)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика поверхности, тонкие пленки

Особенности структуры нанокристаллических пленок никеля, сформированных методом ионного распыления

Н. М. Лядовa, В. В. Базаровa, И. Р. Вахитовb, А. И. Гумаровab, Ш. З. Ибрагимовb, Д. М. Кузинаb, И. А. Файзрахмановa, Р. И. Хайбуллинa, В. А. Шустовa

a Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН, Казань, Россия
b Казанский федеральный университет, Казань, Россия

Аннотация: Тонкие нанокристаллические пленки Ni с толщиной $\sim$ 340–360 nm были синтезированы методом ионного распыления на подложках из монокристаллического Si (111) в условиях высокого вакуума. Методами рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии с микроанализом, вибрационной магнитометрии и дифференциальным термомагнитным анализом исследованы структура, магнитно-фазовый состав и магнитные свойства исходных и подвергнутых термическому отжигу пленок Ni. Обнаружено, что при определенных режимах осаждения исходные пленки никеля при комнатной температуре имеют намагниченность насыщения на порядок ниже, чем никель, а после термического отжига при температуре 723 K – проявляют перпендикулярную к поверхности магнитную анизотропию. Показано, что пониженная величина намагниченности насыщения связана со значительной (3%) деформацией растяжения кристаллической решетки никеля. Установлено, что перпендикулярная магнитная анизотропия в отожженных пленках обусловлена наличием макронапряжений растяжения из-за различий термических коэффициентов расширения пленки и подложки.

Ключевые слова: ионное распыление, нанокристаллические пленки никеля, структура, магнитные свойства.

Поступила в редакцию: 17.05.2021
Исправленный вариант: 17.05.2021
Принята в печать: 21.05.2021

DOI: 10.21883/FTT.2021.10.51424.117


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2021, 63:11, 1723–1729

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024