Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As

Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса $\sim$ 30 ns, плотность энергии в диапазоне 200–360 mJ/cm$^{2}$) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик излучения структур. Кристаллическое совершенство исходных и облученных лазером образцов изучалось с использованием спектроскопии комбинационного рассеяния. Элементный состав структур и его распределение по глубине исследовались методом вторичной ионной масс-спектрометрии. Влияние импульсного лазерного отжига на ферромагнитные свойства гетеронаноструктур характеризовалось поведением магнитополевых зависимостей сопротивления Холла и магнетосопротивления при температурах 10-300 K в диапазоне магнитных полей $\pm$ 3600 Oe. При комнатной температуре исследование проводилось в магнитных полях, достигающих значений $\pm$ 28000 Oe. Для получения расчетных распределений температуры вдоль толщины образца и во времени с применением модели процесса лазерного отжига, основанной на решении задачи о распространении тепла в одномерной GaAs системе с учетом слоя (Ga,Mn)As на поверхности, были использованы оригинальные данные по коэффициенту теплопроводности структур со слоем (Ga, Mn)As, полученные посредством модифицированной методики частотного разделения (3$\omega$-метода).