Отрицательное магнитосопротивление в структуре $n$-InSb/ЖИГ

Показано, что в структуре $n$-InSb/ЖИГ/ГГГ (ЖИГ — железо-иттриевый гранат, ГГГ — галлий-гадолиниевый гранат) в касательной к плоскости подложки геометрии намагничивания ($H$ < 10 kOe) при температуре $T\approx$ 300 K проявляется эффект отрицательного магнитосопротивления величиной около 1%, тогда как для структуры $n$-InSb/ГГГ, в такой же геометрии намагничивания, магнитосопротивление является положительным (увеличение электрического сопротивления в магнитном поле). Эффект возникновения отрицательного магнитосопротивления в структуре InSb/ЖИГ/ГГГ обусловлен эффектом влияния намагниченности ЖИГ на электроны проводимости InSb (эффект близости), при этом величина эффекта определяется величиной намагниченности ЖИГ и параметрами пленок InSb.