Аннотация:
Исследовано термическое травление кристаллов LiF и MgF$_{2}$ с примесями кобальта и никеля методами растровой электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии с использованием декорирования. Показано, что примесные включения выходят из кристалла на его поверхность из дислокаций. Имеются различия между термическим травлением в вакууме и воздушной атмосфере. Кристаллографически ориентированные террасированные ямки травления образуются после выхода примесей из дислокаций. Прямоугольные ямки термического травления образуются после отжига кристалла при 750$^\circ$C на воздухе. При термическом травлении образуется поверхностная металлсодержащая наноразмерная пленка. Окисление поверхностных примесей наблюдается при термическом травлении в атмосфере воздуха или в атмосфере остаточного воздуха.