Фотогальванические токи и электрическая неоднородность 2-D-структурированного монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника

Описаны условия эксперимента, позволившего прояснить механизм формирования электрической неоднородности кристалла TlGaSe$_{2}$. Исследована эволюция аномальной реакции кристалла на фотовозбуждение и предложена интерпретация основных процессов определяющих динамику сигнала. Показано, что доминирующий вклад в развитие аномалий и формирование электрической неоднородности кристалла вносит фотогальваническая эдс. Также рассмотрено участие глубокоуровневых дефектов, как центров локализации заряда, в формировании электрической неоднородности слоистого кристалла сегнетоэлектрика-полупроводника. Ключевые слова: фотогальванический ток, слоистые кристаллы, сегнетоэлектрики-полупроводники, центры локализации заряда.