Температурные зависимости критических параметров неоднородных сверхпроводящих пленок

Представлены результаты расчета температурных зависимостей плотности критического тока и критического магнитного поля тонких неоднородных сверхпроводящих пленок. Сравнение полученных результатов с результатами расчетов для однородных пленок показало, что в обоих случаях уменьшение критического магнитного поля происходит по корневому закону, а плотность критического тока изменяется по степенному закону с показателем степени 3/2 при приближении к критической температуре. Количественно значение плотности критического тока неоднородных пленок в отсутствие внешнего магнитного поля меньше, чем для однородных. В свою очередь, критическое магнитное поле неоднородных пленок существенно больше критического поля однородных.