Эта публикация цитируется в
4 статьях
Оптические свойства
Дефекты и некоторые физические свойства номинально чистых и легированных цинком кристаллов ниобата лития
Н. А. Теплякова,
М. В. Смирнов,
Н. В. Сидоров,
М. Н. Палатников Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева ФИЦ "Кольский научный центр РАН", Апатиты, Россия
Аннотация:
Методами ИК-спектроскопии поглощения в области валентных колебаний OH
$^{-}$-групп, фотолюминесценции в видимой области спектра, фотоиндуцированного рассеяния света исследованы особенности дефектной структуры и их влияние на свойства кристаллов LiNbO
$_{3}$:Zn, легированных в широком концентрационном диапазоне, включающем два концентрационных порога (при
$\sim$ 3.0 и
$\sim$ 6.8 mol.% ZnO в расплаве). В кристаллах LiNbO
$_{3}$:Zn (0.004-2.01 mol.% ZnO) при увеличении концентрации цинка наблюдается увеличение концентрации гидроксильных групп и уменьшение интенсивности люминесценции от центров свечения, связанных с дефектами Nb
$_{\mathrm{Li}}$. Последнее, по-видимому, связано с образованием вблизи дна зоны проводимости мелких энергетических уровней при вытеснении атомами цинка атомов ниобия с позиций лития идеальной структуры и, соответственно, уменьшением концентрации дефектов Nb
$_{\mathrm{Li}}$. В сильнолегированных кристаллах LiNbO
$_{3}$:Zn(4.46–6.5 mol.% ZnO) и в кристалле LiNbO
$_{\mathrm{3stoich}}$(6.0 wt.% K
$_{2}$O) наблюдается заметно меньшая концентрация OH
$^{-}$-групп, увеличение ширины запрещенной зоны на 0.3–0.4 eV, увеличение интенсивности люминесценции в зеленой области спектра за счет образования новых каналов рекомбинации по сравнению со слаболегированными кристаллами. Кроме того, в таких кристаллах наблюдается увеличение протонной проводимости за счет увеличения концентрации межузельного водорода H
$^{+}$ и, как следствие, образования множества мелких акцепторных уровней вблизи потолка валентной зоны.
Ключевые слова:
ниобат лития, прямое легирование, валентные колебания OH$^-$-групп, центры свечения, фотовольтаическое и диффузионное поля. Поступила в редакцию: 25.02.2021
Исправленный вариант: 30.03.2021
Принята в печать: 30.03.2021
DOI:
10.21883/FTT.2021.08.51167.036