Амплитудные зависимости диэлектрических потерь в тонкопленочном наногранулированном композите $(x)$Ni–$(1-x)$PZT

При температурах $T$ ниже сегнетоэлектрической точки Кюри и разных напряженностях постоянного электрического поля $E_{=}$ изучены зависимости диэлектрических потерь $\operatorname{tg}\delta$ в тонкопленочном наногранулированном композите $(x)$Ni–$(1-x)$[Pb$_{0.81}$Sr$_{0.04}$(Na$_{0.5}$Bi$_{0.5}$)$_{0.15}$][(Zr$_{0.575}$Ti$_{0.425}$)]O$_{3}$ от напряженности переменного электрического поля $E_\sim$. Обнаружено, что $\operatorname{tg}\delta$ практически не изменяется с ростом $E_\sim$ до напряженности некоторого порогового поля $E_t$ и плавно возрастает при $E_\sim>E_t$. Величина $E_t$ уменьшается, когда $T$ увеличивается, а $x$ и $E_{=}$ уменьшаются. Обнаруженные зависимости $\operatorname{tg}\delta(E_\sim)$ и $E_t$ от $T$, $x$ и $E_{=}$ объясняются в рамках модели взаимодействия доменных границ с закрепляющими их точечными дефектами в сегнетоэлектриках.