RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2021, том 63, выпуск 5, страницы 680–689 (Mi ftt8139)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Графены

Ab initio моделирование влияния расположения и свойств упорядоченных вакансий на магнитное состояние монослоя графена

М. М. Асадовa, С. Н. Мустафаеваb, С. С. Гусейноваb, В. Ф. Лукичевc, Д. Б. Тагиевa

a Институт катализа и неорганической химии им. М.Ф. Hагиева НАНА, Баку, Азербайджан
b Институт физики НAHA, Баку, Азербайджан
c Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РAH, Москва, Россия

Аннотация: Ab initio-методом псевдопотенциала в рамках DFT моделированы свойства гексагонального графена с учетом влияния вакансий, связанных с ближнеупорядоченной структурой. Рассчитаны магнитные свойства суперъячеек графена с 18, 54 и 96 атомами углерода с моно- и дивакансиями. Внесения вакансий углерода на монослой графена вызывает появление локального магнитного момента. Численные оценки величины магнитного момента выполнены для суперъячеек графена с 18, 54 и 96 атомами углерода с вакансиями. Получены значения магнитных моментов и определена область локализации спиновой плотности в суперъячейке с 96 атомами углерода, включающей как ближнерасположенные, так и дальнерасположенные вакансии. Изучено влияние расстояния между вакансиями на величину магнитного момента в суперъячейке графена. Исследованы зависимости магнитного момента и расстояния между вакансиями в суперъячейке графена с 96 атомами от концентрации вакансий. С помощью расчетов энергии образования вакансий углерода в суперъячейке графена изучены ее зависимости от деформации ячейки графена.

Ключевые слова: ab initio-расчет, теория функционала плотности, суперъячейки графена, вакансии, магнитный момент, спиновая плотность, расположение вакансий, энергия образования и концентрация вакансий, деформация ячейки графена.

Поступила в редакцию: 23.12.2020
Исправленный вариант: 03.01.2021
Принята в печать: 15.01.2021

DOI: 10.21883/FTT.2021.05.50822.268


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2021, 63:5, 670–679

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024