Резонансное рассеяние света оптическими фононами в гомоэпитксиальном нанослое $n$-GaP, выращенном на подложке (001)$n$-GaP

Представлены результаты обнаружения резонансного усиления интенсивности рассеяния света оптическими фононами в гомоэпитаксиальном наномасштабном слое $n$-GaP, толщиной 70 nm, выращенном методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на проводящей сильнолегированной подложке кристалла $n$-GaP, ориентированной по оси (001). Показано, что при комнатной температуре в спектре рамановского рассеяния света такого нанослоя (001) $n$-GaP в образце $n$-GaP/$n$-GaP (001) в сравнении со спектром высокоомного кристаллического образца (001)$si$-GaP в диапазоне частот от 600 до 800 cm$^{-1}$ удается обнаружить достаточно узкие полосы линий рассеяния света второго порядка. Установлено, что такие полосы обусловлены суммарными комбинациями и обертонами поперечных TO($\Gamma$) и продольных LO($\Gamma$) оптических фононов, с волновыми векторами соответствующими точкам $\Sigma$, K, Х, L и $\Gamma$ зоны Бриллюэна кристалла GaP. Показано, что рассеяние света носит резонансный характер, и обусловлено присутствием примесей вследствие проявления экситон-фононного взаимодействия.