Незаполненные электронные состояния и потенциальный барьер в пленках замещенных дифенилфталидов на поверхности высокоупорядоченного пиролитического графита

Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний ультратонких пленок бис-карбоксифенил-фталида (DCA-DPP) и бис-метилфенил-фталида (DM-DPP) толщиной до 8 nm. Исследования проводили методом спектроскопии полного тока (TCS) в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше $E_{\mathrm F}$ в процессе термического вакуумного осаждения этих органических пленок на поверхность высокоупорядоченного пиролитического графита (HOPG). Значения энергии $E_{\operatorname{vac}}$ относительно $E_{\mathrm F}$, т. е. электронной работы выхода пленок DM-DPP, при толщине пленки 5–8 nm составили 4.3 $\pm$ 0.1 eV. Значения электронной работы выхода пленок DCA-DPP составили 3.7 $\pm$ 0.1 eV. Установлена структура максимумов незаполненных электронных состояний пленок DCA-DPP и пленок DM-DPP в исследованном энергетическом диапазоне. Приводится сравнение установленных свойств пленок DCA-DPP и DM-DPP со свойствами пленок молекул незамещенного дифенилфталида (DPP). Так, –CH$_{3}$ замещение молекулы DPP практически не повлияло на высоту потенциального барьера между пленкой и поверхностью HOPG, а –СOOH замещение молекулы DPP привело к увеличению высоты потенциального барьера между пленкой и поверхностью HOPG подложки на 0.5–0.6 eV. Замещение молекул DPP функциональными группами –СOOH и формирование, таким образом, молекул DCA-DPP привело к сдвигу двух максимумов тонкой структуры спектров полного тока, расположенных при энергиях в диапазоне от 5 до 8 eV выше $E_{\mathrm F}$, примерно на 1 eV в сторону меньших энергий электрона.