Механизм формирования критического тока высокотемпературных сверхпроводников, содержащих сквозные микроскопические дефекты

Выполнен расчет критического тока модельного высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) с дефектами в виде сквозных отверстий (антиточками) с характерным размером больше или порядка глубины проникновения магнитного поля. Для этого в модель слоистого ВТСП введены подпроцессы, эквивалентные захвату отверстием магнитного потока и рождению вихря у границы отверстия. Показано, что учет данных подпроцессов приводит к появлению физического механизма, позволяющего корректно описать немонотонную зависимость критического тока от характерного размера антиточки, аналогичную наблюдаемой в эксперименте. Расчеты выполнены для чистого сверхпроводника и сверхпроводника, содержащего наноразмерные центры пиннинга. Показано, что наличие наноразмерных центров пиннинга наряду с антиточками не изменяют качественную картину влияния радиуса антиточки на характер пиннинга магнитного потока и поведение критического тока в ВТСП.