Каналирование медленных ионов в монокристаллическом кремнии

Профили распределения ионов Si$^{+}$ по глубине монокристаллического кремния рассчитаны методом молекулярной динамики. Неупругие потери энергии при торможении определены в рамках теории функционала электронной плотности. Выполнен анализ факторов, оказывающих влияние на процесс каналирования ионов. В частности, подтверждено существование “эффекта массы” для критического угла каналирования.