Аннотация:
Методом функций Грина в приближении сильной связи получены аналитические выражения для дисперсии электронных зон. Предложена параболическая аппроксимация спектра, в рамках которой определены значения эффективной массы носителей и квантовой емкости. С использованием моделей Костера–Слэтера и Халдейна–Андерсона рассмотрена задача о локальных состояниях дефектов. Приведены аналитические оценки характерных фононных частот и упругих постоянных. Полученные результаты сопоставлены с данными расчетов других авторов.