Параметры туннельного барьера сверхпроводниковых структур на основе ниобия

Проведена оценка основных параметров туннельного барьера джозефсоновских переходов Nb/AlO$_{x}$/Nb и Nb/AlN/Nb в широком диапазоне значений плотностей тока с использованием метода Симмонса. Экспериментально определены зависимости высоты и ширины туннельного барьера от удельного сопротивления для каждого типа переходов. Снижение высоты туннельного барьера перехода с прослойкой из AlN на 0.3 eV, по сравнению с оксидным, позволяет получать переходы с плотностью тока выше 15 kA/cm$^{2}$ при технологически достижимой толщине изоляционного слоя порядка 10 $\mathring{\mathrm{A}}$, что дает возможность реализовывать параметр качества $R_{j}/R_{n}$ не ниже 25.