К. В. Шеин, А. А. Заруднева, В. О. Емельянова, М. А. Логунова, В. И. Чичков, А. С. Соболев, В. В. Завьялов, J. S. Lehtinen, Е. О. Смирнов, Ю. П. Корнеева, А. А. Корнеев, К. Ю. Арутюнов, “Сверхпроводящие микроструктуры с высоким импедансом”, Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 9,страницы 1375

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXIV Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Сверхпроводимость

Сверхпроводящие микроструктуры с высоким импедансом

К. В. Шеин^a, А. А. Заруднева^a, В. О. Емельянова^a, М. А. Логунова^a, В. И. Чичков^b, А. С. Соболев^c, В. В. Завьялов^ad, J. S. Lehtinen^ef, Е. О. Смирнов^g, Ю. П. Корнеева^g, А. А. Корнеев^ag, К. Ю. Арутюнов^ad

^a Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", г. Москва
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
^c Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
^d Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, г. Москва
^e VTT Technical Research Centre of Finland Ltd., Espoo, 02150 Finland
^f Department of Physics, University of Jyvaskyla, PB 35, Jyvaskyla, FI-40014 Finland
^g Московский государственный педагогический университет, Москва

Аннотация: При сверхнизких температурах были исследованы транспортные свойства двух типов квазиодномерных сверхпроводящих микроструктур: тонкие каналы, плотно упакованные в форме меандра, и цепочки туннельных контактов сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник. Оба типа микроструктур продемонстрировали высокое значение высокочастотного импеданса и/или динамического сопротивления. Исследование открывает возможность использовать такие структуры в качестве стабилизирующих ток балластных элементов с нулевой величиной диссипации.

Ключевые слова: сверхпроводимость, тонкие пленки, кинетическая индуктивность, туннельные контакты, высокий импеданс.

Поступила в редакцию: 26.03.2020
Исправленный вариант: 26.03.2020
Принята в печать: 02.04.2020

DOI: 10.21883/FTT.2020.09.49756.01H