Управление сверхпроводящими переходами нанопроводов с использованием затворов без гальванической связи для создания электронных устройств на основе сверхпроводников

Показана возможность переключения нанопровода из NbN из сверхпроводящего состояния в нормальное бесконтактным способом за счет пропускания тока через затвор, который расположен на определенном расстоянии от нанопровода. Затвор отделен от нанопровода слоем Al$_{2}$O$_{3}$, содержит интегрированное сопротивление, созданное под действием ионного облучения. Экспериментально получены зависимости минимальной мощности, выделяемой на затворе, достаточной для перевода нанопровода в нормальное состояние, в зависимости от величины постоянного тока через нанопровод. На основе данного принципа создан инвертор сигнала, содержащий три последовательных каскада, что показывает потенциальную возможность применения метода для формирования элементной логической базы криогенного компьютера.