Чувствительность дислокационных розеток к форме индентора Берковича на кристаллах LiF и MgO

Рассматривается своеобразный эффект, наблюдаемый при индентировании грани (001) монокристаллов LiF и MgO, а именно чувствительность вида дислокационных розеток к форме индентора. Показано, что дислокационные розетки, формирующиеся вокруг отпечатков Виккерса, имеют симметричный вид, тогда как розетки вокруг отпечатков Берковича ассимметричны, краевые лучи дислокационных розеток различаются по своей длине, а винтовые лучи такой асимметрии не демонстрируют. Также обнаружен ориентационный эффект при внедрении индентора Берковича: вид дислокационных розеток и длина краевых лучей меняются при изменении ориентации индентора относительно кристаллографических направлений образца. Показано также, что асимметрия дислокационных розеток проявляется ярче на более твердых кристаллах и увеличивается с ростом нагрузки на индентор. Установлены факторы, ответственные за аномалию в развитии дислокационных розеток при нано-, микроиндентировании индентором Берковича грани (001) кубических кристаллов.