Механизм электролюминесценции в светоизлучающих полевых транзисторах на основе пленок нанокристаллов перовскита в матрице полупроводникового полимера

Рассмотрены механизмы излучательной рекомбинации и электролюминесценции (ЭЛ) в структурах на основе пленок перовскитных нанокристаллов (НК) CsPbBr$_{3}$ в матрице полупроводникового полимера MEH-PPV. Показано, что два механизма определяют интенсивность ЭЛ в светоизлучающих полевых транзисторах (СИ-ПТ) с активными слоями на основе пленок MEH-PPV : CsPbBr$_{3}$ (НК): рекомбинация заряженных носителей, инжектированных в полимерную матрицу и рекомбинация при интерфейсе полимер/НК перовскита. Результаты проведенных теоретических и экспериментальных исследований показали, что сверхлинейная зависимость интенсивности ЭЛ от уровня электрического возбуждения в СИ-ПТ на основе MEH-PPV : CsPbBr$_{3}$ (НК) обусловлена механизмом туннелирования электронов через потенциальный барьер при электроде.